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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱可控硅T。又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。
在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫�具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

蘇州銀邦主營(yíng):
西門康賽米控(Semikron)公司; IGBT模塊、 智能功率模塊(SKiiP)、 晶閘管/二極管模塊，整流橋、晶閘管/二極管分立器件、驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)板
英飛凌(infineon)功率模塊公司: IGBT模塊、 IGBT單管， 晶閘管/二極管、整流橋、驅(qū)動(dòng)IC及驅(qū)動(dòng)板、富士(FUJI) 功率模塊
公司: IGBT模塊、IGBT單管、場(chǎng)效應(yīng)管、IPM、 驅(qū)動(dòng)電路
三菱. (mitsubishi)功率模塊公司: IGBT模塊、PIM模塊、IPM模塊、驅(qū)動(dòng)電路
瑞士CONCEPT公司、IGBT驅(qū)動(dòng)器
德國(guó)(IXYS) 艾賽斯功率模塊公司:可控硅模塊、 快恢復(fù)二極管、整流橋模塊、晶閘管模塊
三社（SanRex）可控硅模塊 二極管 快恢復(fù)二極管
巴斯曼（BUSSMANN）熔斷器 西門子 羅蘭熔斷器