一、核心定位與封裝
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類型:雙管 IGBT 模塊(內含 2 組 IGBT + 續(xù)流二極管)
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封裝:62mm C?series(AG?62MM?1),7 引腳,螺絲安裝
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工藝:TRENCHSTOP? IGBT4(溝槽柵 + 場終止)+ EC?HE 二極管
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認證:UL1557(E83336)、CSA、RoHS
二、關鍵電氣參數(25℃/150℃)
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參數
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符號
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典型 / 最大值
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條件
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集射極耐壓
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VCES
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1200 V
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—
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額定直流電流
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IC nom
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450 A
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TC=100℃
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最大直流電流
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IC
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580 A
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TC=25℃
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重復峰值電流
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ICRM
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900 A
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tp=1ms
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飽和壓降
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VCE(sat)
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1.75 V / 2.10 V
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IC=450A, VGE=15V, 25℃/150℃
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柵極閾值
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VGE(th)
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5.2 V
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IC=17mA, 25℃
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最大結溫
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Tvj max
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150 ℃
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—
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功耗
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Ptot
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2400 W
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—
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絕緣電壓
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Visol
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4000 V AC 1min
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—
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三、核心特性
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低損耗 + 軟開關:IGBT4 優(yōu)化開關特性,關斷更軟、損耗更低,適合高頻逆變。
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高結溫:Tvj max=150℃,提升功率密度與可靠性。
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HE 二極管:低正向壓降、快恢復,降低續(xù)流損耗。
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高絕緣:4000V AC 隔離,適配工業(yè)高壓場景。
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可選預涂導熱材料(TIM):簡化裝配、提升散熱一致性。
四、典型應用
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工業(yè)變頻器、伺服驅動
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光伏逆變器、UPS、儲能變流器
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電焊機、大功率開關電源
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軌道交通牽引、風電變流器
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