| BW-H3TRB-C16 ?半導(dǎo)體高溫高濕反偏實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) |
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BW-H3TRB-C16 半導(dǎo)體高溫高濕反偏實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)
■每通道為 48 工位,48 工位中每個(gè)工位可進(jìn)行 Tj 測(cè)試 ■適用于各種封裝類型的二極管、三極管、SCR、MOSFET(支持耗盡型)、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進(jìn)行高溫高濕反偏試驗(yàn) ■試驗(yàn)線路及試驗(yàn)方法滿足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求 ■80 顆/每通道×16 通道=1280 顆(滿載實(shí)驗(yàn)數(shù)量) ■系統(tǒng)平均無(wú)問(wèn)題運(yùn)行時(shí)間≥10000 小時(shí)
技術(shù)特點(diǎn) Technical characteristics ■實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)每個(gè)器件的反偏電壓、漏電流; ■Max電壓可達(dá)6000V;; ■對(duì)于模塊上下橋可同時(shí)加電同時(shí)監(jiān)測(cè)漏電; ■整個(gè)試驗(yàn)過(guò)程的數(shù)據(jù)(漏電流、反偏電壓、溫度、濕度) 記錄并存儲(chǔ)。并輸出為Excel 報(bào)表和繪制全過(guò)程漏電流IR 曲線 ■設(shè)定漏電上限可快速切斷該回路電壓; ■可根據(jù)用戶的需求,定制各種老化板及測(cè)試程序。
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