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碳化硅的長期運行可靠性是目前業(yè)內關注的核心問題之一。由于寬禁帶半導體器件本身的特性，如大量的界面問題導致的閾值電壓漂移問題，傳統(tǒng)的基于硅器件的失效模型已無法充分覆蓋碳化硅的情況；研究表明需要采取動態(tài)的老化測試手段來進行評估。
針對SiC分立器件和模塊，廣電計量參照JEDEC、AECQ101及AQG324標準進行檢測驗證，能力不僅覆蓋用于驗證傳統(tǒng)Si器件長期穩(wěn)定性的所有方法，還開發(fā)了針對SiC器件不同運行模式的特定試驗，在較短時間內了解功率器件的老化特性，見表1。
表1 SiC器件/模塊特定可靠性試驗
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試驗
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試驗條件
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HV-H3TRB
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VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h
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高溫高濕反偏測試HTRB
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VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h
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動態(tài)高溫高濕反偏測試H3TRB
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VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h
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動態(tài)反向偏壓（DRB）
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VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h
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動態(tài)柵偏（DGS）
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VGS = +22 to -8
f = 20 kHz, 10% duty cycle,
VDS = 0, Tj=175
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動態(tài)HTGB
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Ta=25℃；VDS=0V;dVGS/dt=1V/ns;
f=100kHz;VGS=-4V/21V; 10^11cycles；
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動態(tài)高溫正向偏壓測試HTFB
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SiC體二極管雙極退化
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