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派恩杰半導體成立于2018年9月，是中國第三代半導體功率器件的領先品牌，主營碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產品。公司擁有國內最全碳化硅功率器件產品目錄，碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產品覆蓋各個電壓等級與載流能力，并且均通過AEC-Q101車規(guī)級測試認證。可以滿足客戶的各種應用場景，為客戶提供穩(wěn)定可靠的車規(guī)級碳化硅功率器件產品。

派恩杰半導體擁有深厚的技術底蘊和全面的產業(yè)鏈優(yōu)勢，創(chuàng)始人黃興博士于09年起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設計和研發(fā)，師承IGBT發(fā)明人B. Jayant Baliga教授和ETO晶閘管發(fā)明人Alex Q. Huang教授。目前，派恩杰半導體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產品，量產產品已在電動汽車、IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應用等領域廣泛使用，為各個應用領域頭部客戶持續(xù)穩(wěn)定供貨，且產品質量與供應能力得到客戶的廣泛認可。