| 供應(yīng)派恩杰碳化硅 P3M12017K3 |
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價(jià)格：1 元(人民幣) | 產(chǎn)地：杭州 |
| 最少起訂量：1個(gè) | 發(fā)貨地：武漢 | |
| 上架時(shí)間：2023-06-16 17:23:05 | 瀏覽量：132 | |
武漢科美芯電氣有限公司
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| 碳化硅（SiC）屬于第三代半導(dǎo)體，SiC MOSFET相比于傳統(tǒng)Si器件更易在高壓、高頻、高溫條件下工作，派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的柵氧層可靠性，且高溫下Rdson偏移小可獲得更好的高溫特性，1700V耐壓極適用于眾多電力應(yīng)用場(chǎng)合下接入高壓母線的輔助電源，派恩杰對(duì)此SiC MOSFET進(jìn)行優(yōu)化，可以使用0V電壓關(guān)斷，多種封裝形式可直接PIN對(duì)PIN直接替換現(xiàn)有高壓Si MOSFET和Si IGBT此 SiC MOSFET采用 TO247-3 引腳封裝可直接PIN對(duì)PIN替換同封裝Si MOSFET，提供更高性價(jià)比。 |
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