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IGBT模塊實現(xiàn)性能SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊,支持不同的拓撲結(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A,電壓級別為600V至1800V。它們可用于各種應(yīng)用,并采用多項關(guān)鍵技術(shù),如燒結(jié)以及實現(xiàn)快捷裝配的彈簧或press-fit連接。提供不同的拓撲結(jié)構(gòu),提供不同的拓撲結(jié)構(gòu),如CIB(整流-逆變-制動)、半橋、H橋、三相全橋和三電平等,涵蓋幾乎所有應(yīng)用領(lǐng)域。結(jié)合IGBT芯片和賽米控的CAL二極管技術(shù)。IGBT7已正式應(yīng)用于賽米控功率模塊,其帶來更高功率密度并確立了的性能評價基準,特別是在電機驅(qū)動和太陽能應(yīng)用中。
SKM系列型號參數(shù)對應(yīng)列表
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