定義
物質(zhì)存在的形式多種多樣，
固體、
液體、
氣體、
等離子體等
半導(dǎo)體
等。我們通常把
導(dǎo)電性差的材料，如煤、
人工晶體、
琥珀、
陶瓷等稱為絕緣體。而把導(dǎo)電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為
導(dǎo)體？梢院唵蔚陌呀橛趯(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，
半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術(shù)改進以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認可
。
本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無
晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的
價帶是
滿帶（見
能帶理論），受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入
能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為
導(dǎo)帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶
正電的空位，稱為
空穴？昭▽(dǎo)電并不是實際運動，而是一種
等效。電子導(dǎo)電時等
電量的空穴會沿其反方向運動[1]
。它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運動而形成
宏觀電流，分別稱為
電子導(dǎo)電和
空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為
復(fù)合。復(fù)合時釋放出的
能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子- 空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時存在并達到動態(tài)平衡，此時半導(dǎo)體具有一定的載流子
密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子- 空穴對，載流子密度增加，
電阻率減小。無
晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實際應(yīng)用不多。
分類
半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為
元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)
半導(dǎo)體
體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（
錳、
鉻、
鐵、
銅的氧化物）,以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、
鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導(dǎo)體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導(dǎo)體、有機半導(dǎo)體等。
半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：
集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進行分類的方法。此外，還有按照其所處理的信號，可以分成模擬、數(shù)字、模擬數(shù)字混成及功能進行分類的方法。
相關(guān)短語
半導(dǎo)體Semiconductor；intrinsic semiconductor
半導(dǎo)體晶體[電子] semiconductor crystal；[電子] semiconducting crystal；[電子] crystal semiconducting；[電子] Crystal Semiconductor
純半導(dǎo)體intrinsic semiconductor；pure semiconductor
半導(dǎo)體整流semiconductor rectifier；semiconductor rectifier,semiconductor rectifier
離子半導(dǎo)體ionic semiconductor
半導(dǎo)體芯片semiconductor chips；conductor chip；semiconductor pellet；semiconductor chip,semiconductor chip
半導(dǎo)體制冷semiconductor refrigeration；Semi-conductor refrigerant；Semiconductor Cooling；
共價鍵結(jié)構(gòu)：相鄰的兩個原子的一對最外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的
原子核運動，而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構(gòu)成共價鍵。
自由電子的形成：在常溫下，少數(shù)的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為
自由電子。
空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。
電子電流：在外加電場的作用下，自由電子產(chǎn)生定向移動，形成電子電流。
空穴電流：自由電子按一定的方向依次填補空穴（即空穴也產(chǎn)生定向移動），形成空穴電流。
本征半導(dǎo)體的電流：電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同，它們
運動方向相反。
導(dǎo)體電的特點：導(dǎo)體導(dǎo)電只有一種載流子，即自由電子導(dǎo)電。
本征半導(dǎo)體電的特點：本征半導(dǎo)體有兩種載流子，即自由電子和空穴均參與導(dǎo)電。
本征激發(fā)：半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子和空穴的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。
復(fù)合：自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失，這種現(xiàn)象稱為復(fù)合。
動態(tài)平衡：在一定的溫度下，本征激發(fā)所產(chǎn)生的自由電子與空穴對，與復(fù)合的自由電子與空穴對數(shù)目相等，達到動態(tài)平衡。
載流子的濃度與溫度的關(guān)系：溫度一定，本征半導(dǎo)體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫
共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導(dǎo)電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導(dǎo)電性能變差。
P型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入三價元素（如
硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半導(dǎo)體。
多數(shù)載流子：P型半導(dǎo)體中，空穴的濃度大于自由電子的濃度，稱為多數(shù)載流子，簡稱多子。
受主原子：雜質(zhì)原子中的空位吸收電子，稱受主原子。
P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：它是靠空穴導(dǎo)電，摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高，導(dǎo)電性能也就越強。
N型半導(dǎo)體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半導(dǎo)體。
施主原子：雜質(zhì)原子可以提供電子，稱施主原子。
N型半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：摻入的雜質(zhì)越多，多子（自由電子）的濃度就越高，導(dǎo)電性能也就越強。
結(jié)論：
多子的濃度主要決定于雜質(zhì)濃度。
少子的濃度主要決定于溫度。
PN結(jié)的形成：將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊
硅片上，
PN結(jié)的形成過程
在它們的交界面就形成PN結(jié)。
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