| VS3510AEMOSFETPDFN3333內(nèi)阻陽極電壓柵極電壓頻率響應(yīng) |
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價(jià)格：1.00 元(人民幣) | 產(chǎn)地：廣東深圳 |
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| 上架時(shí)間：2026-01-03 12:13:21 | 瀏覽量：8 | |
深圳市華鉆電子有限公司
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| 所屬行業(yè)：LED驅(qū)動(dòng)器 | 主要客戶：照明公司 驅(qū)動(dòng)公司 | |
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VS3510AE VSP008N10MSC VS3506AE VS3508AE VS3510AS VS3522AE VS3610AI VS3622DP2 VS3622AE VS3510AE VS8402AMH VS6880AD威兆一級代理,可售樣可提供技術(shù)支持
VS3510AE 30V/-37A P-Channel Advanced Power MOSFET
Features Enhancement mode Fast Switching and High efficiency 100 Avalanche test
V DS -30 V R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 10 m R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 18 m I D -37 A VS3510AE PDFN3333 3510AE 5000pcs/Reel
Maximum ratings, at TA =25°C, unless otherwise specified V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=-250μA -30 -- -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=-30V,VGS=0V -- -- -1 μA Zero Gate Voltage Drain Current(Tj=125℃) VDS=-30V,VGS=0V -- -- -100 μA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS=±25V,VDS=0V -- -- ±100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS,ID=-250μA -1.3 -1.9 -2.4 V RDS(on) Drain-Source On-State Resistance ③ VGS=-10V, ID=-20A -- 10 13 mΩ RDS(on) Drain-Source On-State Resistance ③ VGS=-4.5V, ID=-16A -- 18 23 mΩ |
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