| 產(chǎn)品參數(shù) | | | 尺寸 | 250*120*220mm | | 系列 | CBB | | 型號(hào) | 1000VDC 2000UF | | 容差 | ±5％ | | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 機(jī)械設(shè)備 | | 標(biāo)稱容量 | 2000uf | | 額定電壓 | 1000V | | 應(yīng)用范圍 | 高壓 | | 安裝類型 | 焊接 | | 介電材料 | 金屬化薄膜 | | 封裝\/外殼 | 冷軋板 | | 工作溫度范圍 | 40\/85\/21 | | 等效串聯(lián)電阻(ESR) | SR) 10 | | 高度-安裝(最大值) | 海拔：≤2000m | | 等級(jí) | B | | 端接類型 | 焊錫式 | | 特性 | 自愈性 | | 數(shù)量 | 60 | | 批號(hào) | SF20220801016 | | 封裝 | 木箱 | | 品牌 | 安徽賽福 | | .jpg)
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?賽福1000VDC 2000UF 高壓脈沖儲(chǔ)能退磁機(jī)薄膜電容能夠在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)充電，而在較短時(shí)間內(nèi)放電，從而形成一個(gè)很大的脈沖功率。脈沖功率的獲取是靠已充電的脈沖電容器組，通過主電抗器短時(shí)振蕩放電獲得的，而脈沖電容器組是在試驗(yàn)前由功率不大的充電裝置，用較長(zhǎng)的時(shí)間充電，振蕩放電為數(shù)十毫秒，從而大大增加了試驗(yàn)功率與電源功率之比，改變了經(jīng)濟(jì)效率。 
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主要特點(diǎn)： ·功耗低，適宜于大功率、大電流、高耐壓、高浪涌應(yīng)用； ·具有較好的容量和體積性能比 ·隨溫度變化小，使用時(shí)間加長(zhǎng)； ·反峰電壓可達(dá)較高； ·高儲(chǔ)能,耐高脈沖電流能力； ·自恢復(fù)特性好； ·低電感,低ESR； ·外殼材料為不銹鋼或冷軋板、安裝方便 。 主要產(chǎn)品參數(shù)： ·容量范圍：C=100μF～6000μF； ·容量偏差：一般±5，根據(jù)要求可以定制； ·額定電壓：Un=1KV～5KV； ·等效串聯(lián)電阻：ESR≤5mΩ ·反峰電壓可達(dá)80以上； ·充放電次數(shù)：可達(dá)2，000，000次； ·損耗角正切：tgδ≤0.002（100Hz）； ·使用環(huán)境溫度寬：-40℃～ 75℃； ·使用標(biāo)準(zhǔn)：JB/T8168 或客戶要求。
主要產(chǎn)品規(guī)格：? 產(chǎn)品型號(hào) 電壓（KV） 容量（μF） MFO(D)1K001007 1.0 1000 MFO(D)1K002007 1.0 2000 MFO(D)1K005007 1.0 5000 MFO(D)1K205006 1.2 500 MFO(D)1K201007 1.2 1000 MFO(D)1K202007 1.2 2000 MFO(D)1K505006 1.5 500 MFO(D)1K501007 1.5 1000 MFO(D)1K501507 1.5 1500 MFO(D)1K602006 1.6 200 MFO(D)1K605006 1.6 500 MFO(D)1K601007 1.6 1000 MFO(D)1K601507 1.6 1500 MFO(D)2K002006 2.0 200 MFO(D)2K005006 2.0 500 MFO(D)2K001007 2.0 1000 MFO(D)2K205006 2.2 500 MFO(D)2K201007 2.2 1000 MFO(D)2K502006 2.5 200 MFO(D)2K505006 2.5 500 MFO(D)3K002006 3.0 200 MFO(D)3K005006 3.0 500 MFO(D)4K002006 4.0 200 MFO(D)4K005006 4.0 500 MFO(D)4K502006 4.5 200 MFO(D)4K505006 4.5 500 MFO(D)5K002006 5.0 200 MFO(D)5K005006 5.0 500 以上數(shù)據(jù)僅供參考，根據(jù)用戶要求，我們可以設(shè)計(jì)、制造其它規(guī)格要求的脈沖電容器。 .jpg)
該電容器應(yīng)用于充磁機(jī)、退磁機(jī)，激光電源，儲(chǔ)能焊接機(jī)等；直流高壓設(shè)備、整流濾波裝置振蕩回路、 連續(xù)脈沖裝置，沖擊電壓發(fā)生器、沖擊電流發(fā)生器、沖擊分壓器及其他非連續(xù)脈沖裝置。 .jpg)
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