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CS50N20ANRMOSFETTO-3P(N)內(nèi)阻輸出功率陽極電壓柵極電流
CS50N20ANRMOSFETTO-3P(N)內(nèi)阻輸出功率陽極電壓柵極電流 價格:1.05  元(人民幣) 產(chǎn)地:廣東省深圳市
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聯(lián)系方式

聯(lián)系人:楊寶林 () 手機:15012797618
電話: 傳真:
郵箱:3260667181@qq.com 地址:中國.深圳市龍華區(qū)龍勝路融創(chuàng)智匯大廈C座13樓1305-1307

詳細介紹

產(chǎn)品參數(shù)
品牌華晶
封裝TO-3P(N)
批號21
數(shù)量100303
數(shù)量100303
種類MOSFET
PolarityN
VDS200
ID50
產(chǎn)品應(yīng)用電子設(shè)備
可售賣地全國
型號CS50N20ANR

華晶CS9N20 A4R ? ?Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述:

CS9N20 A4R,硅N通道增強VDMOSFET,是通過高密度溝槽技術(shù)獲得的,它降低了導通損耗,提高了開關(guān)性能和增強性能 雪崩能量。 該晶體管可用于各種功率開關(guān)電路,用于系統(tǒng)小型化和更高的效率。 包裝形式為TO-252,符合RoHSsta 恩達德。

特點:

緊開關(guān)

ESD提高能力

低開阻

低門電荷

低反向傳輸電容

100單脈沖雪崩能量測試

應(yīng)用:

適配器和充電器的電源開關(guān)電路。

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