| 派恩杰碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體P3M12080K3(38A\/1200V) |
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價格:1.00 元(人民幣) | 產(chǎn)地:湖北武漢 |
| 最少起訂量:1 | 發(fā)貨地:湖北武漢 | |
| 上架時間:2023-11-19 06:50:06 | 瀏覽量:47 | |
武漢科美芯電氣有限公司
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![]() ![]() ![]() ![]() ![]() SiC MOSFET的出現(xiàn)和廣泛應(yīng)用為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了一場影響深遠(yuǎn)的技術(shù)革命。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻,開關(guān)損耗,高溫運(yùn)行和導(dǎo)熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度,并使得系統(tǒng)的整體成本降低。因此,在汽車應(yīng)用,工業(yè)應(yīng)用,通信電源和數(shù)據(jù)中心,SiC MOSFET正在逐步替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。派恩杰半導(dǎo)體在650V,1200V,1700V多個電壓平臺均有量產(chǎn)的分立器件產(chǎn)品,且在不同載流能力和封裝形式上,產(chǎn)品目錄齊全,可以為客戶提供全方位的選擇。 |
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