在實(shí)際可控硅電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱(chēng)為RC阻容吸收電路。
可控硅有一重要個(gè)特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在額定結(jié)溫和門(mén)極斷路條件下，使可控硅從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的電壓上升率。若電壓上升率過(guò)大，超過(guò)了可控硅的電壓上升率的值，則會(huì)在無(wú)門(mén)極信號(hào)的情況下開(kāi)通。即使此時(shí)加于可控硅的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榭煽毓杩梢钥醋魇怯扇齻�(gè)PN結(jié)組成。
在可控硅處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)可控硅陽(yáng)極電壓變化時(shí)，便會(huì)有充電電流流過(guò)電容C0，并通過(guò)J3結(jié)，這個(gè)電流起了門(mén)極觸發(fā)電流作用。如果可控硅在關(guān)斷時(shí)，陽(yáng)極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門(mén)極在沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)的下，可控硅誤導(dǎo)通現(xiàn)象，即常說(shuō)的硬開(kāi)通，這是不允許的。，對(duì)加到可控硅上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。
為了限制電路電壓上升率過(guò)大，確�？煽毓璋踩\(yùn)行，常在可控硅兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，利用電容兩端電壓不能突變的特性來(lái)限制電壓上升率。因?yàn)殡娐房偸谴嬖?/span>電感的（變壓器漏感或負(fù)載電感），所以與電容C串聯(lián)電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過(guò)渡過(guò)程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過(guò)電壓損壞可控硅。同時(shí)，避免電容器通過(guò)可控硅放電電流過(guò)大，造成過(guò)電流而損壞可控硅。
由于可控硅過(guò)流過(guò)壓能力很差，如果不采取可靠的保護(hù)措施是不能正常工作的。RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)就是常用的保護(hù)方法之一。
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