富士IGBT新型模塊著力于更高效的能源轉換
當今的電力電子市場正推動著緊湊、低損耗、高可靠性IGBT模塊的發(fā)展，以優(yōu)化電力轉換系統(tǒng)。為此，各大IGBT廠商正在發(fā)力，積極開發(fā)新型IGBT模塊，提高實用性能。最近富士電氣開發(fā)了第7代x系列IGBT技術，該技術結合了增強的半導體芯片特性和改進的封裝結構。
這種獨特的設計理念提高了IGBT性能并允許模塊能夠在175?C 條件下連續(xù)操作。有關資料顯示，富士電氣X系列雙XT模塊是第一個IGBT模塊，在一個62毫米X 150毫米2:1的封裝中實現(xiàn)800A-1200V額定值。
隨著全球人口的增長和經(jīng)濟的高度繁榮，全球能源消耗正在穩(wěn)步增長。傳統(tǒng)的煤、石油等這些能源被大量開采，但考慮到利用傳統(tǒng)的礦物燃料能源系統(tǒng)來滿足需求對環(huán)境的不利影響，許多國家正在利用可再生能源技術來滿足日益增長的能源需求。這方面，《巴黎氣候協(xié)定》已成為一個政策指引。
此外，對機動車輛電氣化的需求正在推動穩(wěn)健、高效電力電子模塊的發(fā)展，各種各樣新能源電動汽車被制造并投放上路，以取代傳統(tǒng)汽柴油動力汽車。
為了支持這些應用所需的高效率功率轉換系統(tǒng)的開發(fā)，富士電氣開發(fā)了一種增強絕緣柵雙極晶體管(IGBT)技術。據(jù)稱該公司在IGBT新型模塊開發(fā)上，采用第7代技術結合創(chuàng)新改善溝柵IGBT結構和二極管(FWD)的內(nèi)在特征，以改善和優(yōu)化性能和提高效率。該模塊擁有更薄的AIN陶瓷基板，并優(yōu)化了陶瓷燒結條件。
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