絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性，應用領域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。
電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開關器件；因此其通、斷驅動控制功率很小，開關速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開關器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數載流子都參與導電）、電流控制型開關器件；因此其通-斷控制驅動功率大，開關速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點，棄其缺點，20世紀80年代中期出現了將它們的通、斷機制相結合的新一代半導體電力開關器件——絕緣柵極雙極型晶體管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）。它是一種復合器件，其輸入控制部分為MOSFET，輸出級為雙級結型三極晶體管；因此兼有MOSFET和電力晶體管的優(yōu)點，即高輸入阻抗，電壓控制，驅動功率小，開關速度快，工作頻率可達到10~40kHz（比電力三極管高），飽和壓降低（比MOSFET 小得多，與電力三極管相當），電壓、電流容量較大，安全工作區(qū)域寬。目前2500~3000V、800~1800A的IGBT器件已有產品，可供幾千kVA以下的高頻電力電子裝置選用。
